3 p3 \8 w& L2 P& [TVBNOW 含有熱門話題，最新最快電視，軟體，遊戲，電影，動漫及日常生活及興趣交流等資訊。美國匹茲堡大學的研究人員研發了一種元件結構，相較於目前的固態，能讓開關(switch)以真空狀態做為電晶體內的電子傳輸介質。
+ W5 ]( g0 I8 z該研究團隊提出了一種以深溝槽、側邊曝光的金屬-氧化矽-矽三層MOS垂直結構；金屬層與矽晶層是元件的正極與負極，中間隔著絕緣氧化矽，
S6 j" j' S+ C. [- Z* ?5 u# _tvb now,tvbnow,bttvb而電子傳輸就是透過真空以垂直方向進行。此研究成果最近發表於7月1日出刊的《Nature Nanotechnology》期刊中，
5 ], }% s5 R( I6 F A; G$ w- Bwww2.tvboxnow.com論文題為「具備真空通道的金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-oxide-semiconductor field effect transistor with a vacuum channel)」。
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4 p! V, Q9 q- K T7 a. \tvb now,tvbnow,bttvb以上研究成果也意味著回歸電子元件的起源；固態電晶體是在1947年發明，以取代體積笨重、可靠性不佳的真空管。
. r6 t, s! }' e( B3 y3 O) V$ ^過去也有人嘗試過以固態半導體製程技術，製作小型化的真空管式電子元件，但是此概念一直在克服高電壓需求，tvb now,tvbnow,bttvb* A% y6 p- P7 H2 I8 h/ u/ A
以及與現有固態CMOS技術的相容性問題。 為此匹茲堡大學斯萬森工程學院(Swanson School of Engineering)教授Hong Koo Kim所率領的團隊，
/ g, P0 j9 [% p7 \* s) ?重新設計了真空管電子元件的架構；他的團隊成員還包括博士候選人 Siwapon Srisonphan 與博士後研究員Yun Suk Jung Kim。tvb now,tvbnow,bttvb4 u' ~5 S7 R5 i: K, X7 t: ]
5 U+ V$ q: u1 a$ X6 i該團隊發現，半導體元件中的電子若被捕捉至一個氧化物或是金屬層介面，就能輕易被提取至空氣中。 在材料介面裡的電子會形成一片電荷，www2.tvboxnow.com' L$ t/ z8 s. K6 x, w+ D7 V6 y
也就是一種二維電子氣(electron gas)；而且Kim發現，電子之間的庫倫斥力(Coulombic repulsion)，讓電子能容易地從矽散發出來。0 {2 K( j X+ g i7 q% F' T
這可催生一種低電壓元件，其內部的電子會在一個奈米級的通道中以彈道模式(ballistically)在空氣中遊走，不會有碰撞或是散射。 www2.tvboxnow.com7 q" ]* E- w9 ?. K0 `+ @. z/ _
- D$ i0 z2 D) P$ S9 UTVBNOW 含有熱門話題，最新最快電視，軟體，遊戲，電影，動漫及日常生活及興趣交流等資訊。根據論文的描述，該通道的長度約是20奈米，研究團隊並量測到20ns/ micron的跨導(transconductance)，500開關比(on/off ratio)，tvb now,tvbnow,bttvb/ z5 I' a, _( f" |! d! @
以及環境條件(ambient condition)下0.5V的導通閘極電壓(turn-on gate voltage)。 「這種電子系統至真空通道的發射，
* E! i$ t5 _* r( Utvb now,tvbnow,bttvb能實現全新的一系列低電壓、高速電晶體，而且這種電晶體能與目前的矽電子元件相容，為這些電子元件添加因為低電壓可帶來的更高速度與省電效益。」0 U" m; V& T q1 W3 [: [3 ~
Kim表示。 參考原文： Researchers try vacuum transistors at low voltage，by Peter Clarke |
發表於 2012-7-4 09:19 AM
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發表於 2012-7-8 09:36 PM
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