+ q4 e. y/ P/ A: ^6 P3 ftvb now,tvbnow,bttvb美國匹茲堡大學的研究人員研發了一種元件結構，相較於目前的固態，能讓開關(switch)以真空狀態做為電晶體內的電子傳輸介質。
, z9 ^5 a% O( ? c2 m! l4 U公仔箱論壇該研究團隊提出了一種以深溝槽、側邊曝光的金屬-氧化矽-矽三層MOS垂直結構；金屬層與矽晶層是元件的正極與負極，中間隔著絕緣氧化矽，
( s! o- w; Q( N1 Z% w, I, _+ Z. Gtvb now,tvbnow,bttvb而電子傳輸就是透過真空以垂直方向進行。此研究成果最近發表於7月1日出刊的《Nature Nanotechnology》期刊中，
# e$ }) H5 z% I. @5 V4 h9 j" Lwww2.tvboxnow.com論文題為「具備真空通道的金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-oxide-semiconductor field effect transistor with a vacuum channel)」。 TVBNOW 含有熱門話題，最新最快電視，軟體，遊戲，電影，動漫及日常生活及興趣交流等資訊。) ] o' m4 q: T
) N/ O" |; A" U5 v8 u. I以上研究成果也意味著回歸電子元件的起源；固態電晶體是在1947年發明，以取代體積笨重、可靠性不佳的真空管。公仔箱論壇" L4 d" s. ]- I4 l
過去也有人嘗試過以固態半導體製程技術，製作小型化的真空管式電子元件，但是此概念一直在克服高電壓需求，
/ T" s7 i/ q6 O公仔箱論壇以及與現有固態CMOS技術的相容性問題。 為此匹茲堡大學斯萬森工程學院(Swanson School of Engineering)教授Hong Koo Kim所率領的團隊，公仔箱論壇1 j" V" l) t" _5 @
重新設計了真空管電子元件的架構；他的團隊成員還包括博士候選人 Siwapon Srisonphan 與博士後研究員Yun Suk Jung Kim。
$ V( H* Q9 l0 S8 v0 `0 v6 A www2.tvboxnow.com: k* I4 g6 p1 I( Y E3 h
該團隊發現，半導體元件中的電子若被捕捉至一個氧化物或是金屬層介面，就能輕易被提取至空氣中。 在材料介面裡的電子會形成一片電荷，www2.tvboxnow.com; ~( `# H* h( L* W3 P2 L! Q
也就是一種二維電子氣(electron gas)；而且Kim發現，電子之間的庫倫斥力(Coulombic repulsion)，讓電子能容易地從矽散發出來。0 r+ u8 m# B1 ]2 W5 v) L
這可催生一種低電壓元件，其內部的電子會在一個奈米級的通道中以彈道模式(ballistically)在空氣中遊走，不會有碰撞或是散射。 ; }; h* y& a6 C z2 t }! ]# S# M6 b
tvb now,tvbnow,bttvb2 S K6 P" F) h$ t# `9 ]
根據論文的描述，該通道的長度約是20奈米，研究團隊並量測到20ns/ micron的跨導(transconductance)，500開關比(on/off ratio)，www2.tvboxnow.com' v- L- r# E+ I& v
以及環境條件(ambient condition)下0.5V的導通閘極電壓(turn-on gate voltage)。 「這種電子系統至真空通道的發射，
: }( _+ r- O+ A( ]+ g; K" UTVBNOW 含有熱門話題，最新最快電視，軟體，遊戲，電影，動漫及日常生活及興趣交流等資訊。能實現全新的一系列低電壓、高速電晶體，而且這種電晶體能與目前的矽電子元件相容，為這些電子元件添加因為低電壓可帶來的更高速度與省電效益。」
* s' h$ ~. ^4 s7 ^# l2 J% aTVBNOW 含有熱門話題，最新最快電視，軟體，遊戲，電影，動漫及日常生活及興趣交流等資訊。Kim表示。 參考原文： Researchers try vacuum transistors at low voltage，by Peter Clarke |
發表於 2012-7-4 09:19 AM
| 
發表於 2012-7-8 09:36 PM
|